본 발명에 따른 피시험 반도체 소자의 내방사선 평가 방법은, 피시험 반도체 소자를 중이온 장비에 제공하여 베이스 구간의 선형에너지전달(LET, linear energy transfer) 값에 따른 상기 피시험 반도체 소자의 단면적(cross section, σ) 값을 측정하는 단계, 상기 피시험 반도체 소자를 펄스 레이저 장비에 제공하고, 레이저 에너지 값에 따른 상기 피시험 반도체 소자의 단면적 값을 측정하는 단계, 및 상기 펄스 레이저 장비에 제공된 상기 레이저 에너지 값을 상기 선형에너지전달 값으로 변환시켜, 상기 베이스 구간을 제외한 나머지 구간의 선형에너지전달 값에 따른 상기 피시험 반도체 소자의 단면적 값을 유추하는 단계를 포함할 수 있다.
- 출원번호 : 10-2024-0151268
- 출원인 : 큐알티 주식회사
- 특허번호 : 10-2748332-0000
- IPC : G01R-031/311;G01R-031/00;H01S-003/00;